Размер шрифта
Цвет фона и шрифта
Изображения
Озвучивание текста
Обычная версия сайта
ИЯИ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерных исследований Российской академии наук»
+7-495-850-42-01
+7-495-850-42-01
Заказать звонок
E-mail
inr@inr.ru
Адрес
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
Режим работы
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Заказать звонок
Подать заявку
Об институте
  • Об институте
  • Дирекция
  • Аппарат управления
  • Ученый совет
  • Документы
История института
  • История института
  • Выдающиеся ученые и основатели института
  • Юбилеи и памятные даты
Научная деятельность
  • Направления исследований
  • Установки
  • Прикладные исследования
    • Технологии
    • Патенты
    • Проекты
    • Сотрудничество
  • Диссертационный совет
    • Общая информация
    • Состав совета
    • Защита диссертаций
    • Статистика
  • Совет молодых ученых
  • Конференции
  • Премии
  • Стратегия и планы развития
  • Отчеты
Подразделения
  • Отдел лептонов высоких энергий и нейтринной астрофизики
  • Отдел ускорительного комплекса
  • Отдел физики высоких энергий
  • Отдел экспериментальной физики
  • Отдел теоретической физики
  • Лаборатория нейтринной астрофизики высоких энергий
  • Лаборатория нейтронных исследований
  • Лаборатория медицинской физики
  • Лаборатория атомного ядра
  • Лаборатория фотоядерных реакций
  • Лаборатория обработки больших данных в физике частиц и астрофизике
  • Филиал Баксанская нейтринная обсерватория
Сотрудники
  • Сотрудники
  • Ведущие ученые
  • Книга почета
  • Вакансии
Образование
  • Научно-образовательный центр
    • Кафедры и программы обучения
    • Студенты
    • Научные руководители
    • Расписание занятий
  • Аспирантура
    • Об аспирантуре
    • Поступающим
    • Аспирантам
    • Аспиранты
  • Стипендии
    • Стипендии
    • Лауреаты премий и стипендии
  • Книги и лекции
Новости
СМИ об институте
Семинары
Контакты
ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
  • Нормативно-правовые и иные акты
    • Федеральные законы
    • Указы президента
    • Постановления Правительства РФ
    • Нормативные правовые акты министерства науки и высшего образования РФ
    • Локальные нормативные акты ИЯИ РАН
  • Антикорруп.экспертиза
  • Методические материалы
  • Приказы ИЯИ о противодействии коррупции
  • Сведения о доходах, расходах
  • Среднемесячная зарплата
Карта сайта
Календарь
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерных исследований Российской академии наук»
+7-495-850-42-01
+7-495-850-42-01
Заказать звонок
E-mail
inr@inr.ru
Адрес
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
Режим работы
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

EN
"/>
Войти
ИЯИ РАН
  • Об институте
    • Об институте
    • Дирекция
    • Аппарат управления
    • Ученый совет
    • Документы
  • История института
    • История института
    • Выдающиеся ученые и основатели института
    • Юбилеи и памятные даты
  • Научная деятельность
    • Направления исследований
    • Установки
    • Прикладные исследования
      • Технологии
      • Патенты
      • Проекты
      • Сотрудничество
    • Диссертационный совет
      • Общая информация
      • Состав совета
      • Защита диссертаций
      • Статистика
    • Совет молодых ученых
    • Конференции
    • Премии
    • Стратегия и планы развития
    • Отчеты
  • Подразделения
    • Отдел лептонов высоких энергий и нейтринной астрофизики
    • Отдел ускорительного комплекса
    • Отдел физики высоких энергий
    • Отдел экспериментальной физики
    • Отдел теоретической физики
    • Лаборатория нейтринной астрофизики высоких энергий
    • Лаборатория нейтронных исследований
    • Лаборатория медицинской физики
    • Лаборатория атомного ядра
    • Лаборатория фотоядерных реакций
    • Лаборатория обработки больших данных в физике частиц и астрофизике
    • Филиал Баксанская нейтринная обсерватория
  • Сотрудники
    • Сотрудники
    • Ведущие ученые
    • Книга почета
    • Вакансии
  • Образование
    • Научно-образовательный центр
      • Кафедры и программы обучения
      • Студенты
      • Научные руководители
      • Расписание занятий
    • Аспирантура
      • Об аспирантуре
      • Поступающим
      • Аспирантам
      • Аспиранты
    • Стипендии
      • Стипендии
      • Лауреаты премий и стипендии
    • Книги и лекции
  • Новости
  • СМИ об институте
  • Семинары
  • Контакты
  • ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
    • Нормативно-правовые и иные акты
      • Федеральные законы
      • Указы президента
      • Постановления Правительства РФ
      • Нормативные правовые акты министерства науки и высшего образования РФ
      • Локальные нормативные акты ИЯИ РАН
    • Антикорруп.экспертиза
    • Методические материалы
    • Приказы ИЯИ о противодействии коррупции
    • Сведения о доходах, расходах
    • Среднемесячная зарплата
  • Карта сайта
  • Календарь
+7-495-850-42-01
+7-495-850-42-01
Заказать звонок
E-mail
inr@inr.ru
Адрес
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
Режим работы
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

EN
"/>
ИЯИ РАН
EN
Телефоны
+7-495-850-42-01
Заказать звонок
E-mail
inr@inr.ru
Адрес
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
Режим работы
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

ИЯИ РАН
  • Об институте
    • Об институте
    • Об институте
    • Дирекция
    • Аппарат управления
    • Ученый совет
    • Документы
  • История института
    • История института
    • История института
    • Выдающиеся ученые и основатели института
    • Юбилеи и памятные даты
  • Научная деятельность
    • Научная деятельность
    • Направления исследований
    • Установки
    • Прикладные исследования
      • Прикладные исследования
      • Технологии
      • Патенты
      • Проекты
      • Сотрудничество
    • Диссертационный совет
      • Диссертационный совет
      • Общая информация
      • Состав совета
      • Защита диссертаций
      • Статистика
    • Совет молодых ученых
    • Конференции
    • Премии
    • Стратегия и планы развития
    • Отчеты
  • Подразделения
    • Подразделения
    • Отдел лептонов высоких энергий и нейтринной астрофизики
    • Отдел ускорительного комплекса
    • Отдел физики высоких энергий
    • Отдел экспериментальной физики
    • Отдел теоретической физики
    • Лаборатория нейтринной астрофизики высоких энергий
    • Лаборатория нейтронных исследований
    • Лаборатория медицинской физики
    • Лаборатория атомного ядра
    • Лаборатория фотоядерных реакций
    • Лаборатория обработки больших данных в физике частиц и астрофизике
    • Филиал Баксанская нейтринная обсерватория
  • Сотрудники
    • Сотрудники
    • Сотрудники
    • Ведущие ученые
    • Книга почета
    • Вакансии
  • Образование
    • Образование
    • Научно-образовательный центр
      • Научно-образовательный центр
      • Кафедры и программы обучения
      • Студенты
      • Научные руководители
      • Расписание занятий
    • Аспирантура
      • Аспирантура
      • Об аспирантуре
      • Поступающим
      • Аспирантам
      • Аспиранты
    • Стипендии
      • Стипендии
      • Стипендии
      • Лауреаты премий и стипендии
    • Книги и лекции
  • Новости
  • СМИ об институте
  • Семинары
  • Контакты
  • ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
    • ПРОТИВОДЕЙСТВИЕ КОРРУПЦИИ
    • Нормативно-правовые и иные акты
      • Нормативно-правовые и иные акты
      • Федеральные законы
      • Указы президента
      • Постановления Правительства РФ
      • Нормативные правовые акты министерства науки и высшего образования РФ
      • Локальные нормативные акты ИЯИ РАН
    • Антикорруп.экспертиза
    • Методические материалы
    • Приказы ИЯИ о противодействии коррупции
    • Сведения о доходах, расходах
    • Среднемесячная зарплата
  • Карта сайта
  • Календарь
Кабинет
  • +7-495-850-42-01
    • Телефоны
    • +7-495-850-42-01
  • г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
  • inr@inr.ru
  • Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Установка газофазного синтеза алмазных материалов на основе сильноточного тлеющего разряда.

Главная
—
Научная деятельность
—
Технологии
—
Основные исследования и разработки ИЯИ РАН, готовые к практическому применению
—Установка газофазного синтеза алмазных материалов на основе сильноточного тлеющего разряда.

Разработка опытно-промышленной установки для газофазного синтеза алмазоподобных углеродных материалов

Совокупность целого ряда уникальных физических свойств алмазных материалов делает перспективным их применение во многих отраслях промышленности от обработки материалов до электроники и ядерной энергетики. До настоящего времени эти применения сдерживаются относительно высокой стоимостью производства как природных, так и синтетических алмазов, которая резко возрастает с увеличением размеров изделий.

Метод газофазного синтеза не требует создания высоких давлений, кроме того, осаждение из газовой фазы можно производить на достаточно большой площади и получать углеродные материалы с поликристаллической алмазной структурой на подложках из молибдена, вольфрама, кремния и других материалов. В отличие от метода синтеза поликристаллических алмазных материалов в условиях высоких давлений и высоких температур (ВДВТ), в газофазном методе синтеза получаемые алмазные материалы не содержат металлической связки, т.е. являются чисто углеродными алмазными материалами и вследствие этого они обладают высокой стойкостью к химическим воздействиям, высокой теплопроводностью и стойкостью к абразивному износу. Как видно из приводимой ниже таблицы сравнения параметров, газофазные алмазные материалы по основным параметрам близки к монокристаллическим и превосходят поликристаллические алмазные материалы, полученные по методу ВДВТ.

В предлагаемом проекте создание условий газофазного синтеза предполагается производить в газовом разряде в смеси углеродсодержащего газа (например метана СН4) и водорода. К настоящему времени в Институте Ядерных Исследований РАН разработана методика возбуждения импульсного сильноточного тлеющего разряда и система приготовления и регенерации газовой смеси, позволяющие длительное время поддерживать в экспериментальной установке параметры, необходимые для синтеза алмазных материалов. Важным преимуществом метода газофазного синтеза является его экологическая чистота, т.к. во всем процессе участвуют только экологически безопасные вещества.


Таблица сравнения параметров алмазных материалов


ГФС - полученные в газофазном синтезе
Моно - монокристаллические природные и синтетические алмазы
ВДВТ - поликристаллические алмазные материалы, полученные методом синтеза при высоких давлениях и высоких температурах
Свойство ГФС Моно ВДВТ
Твердость(ГПа) 85-100 85-100 50
Модуль Юнга(ГПа) 1000-1100 1000-1100 700-800
Прочность на сжатие (ГПа) 9,0 9,0 7,6
Теплопроводность При 20 °С (Вт/мК) 500-2200 600-2200 500-600

Ответственный исполнитель проекта:
научный сотрудник Отдела Ускорительного Комплекса ИЯИ РАН Клёнов Виктор Сергеевич.
Назад к списку

+7-495-850-42-01
+7-495-850-42-01
Заказать звонок
E-mail
inr@inr.ru
Адрес
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а
Режим работы
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

inr@inr.ru
г. Москва, В-312, проспект 60-летия Октября, 7а

© 2026 ИЯИ РАН
Политика конфиденциальности
Версия для слабовидящих
Главная Кабинет Контакты Сотрудники Документы